Samsung ha anunciat que començarien la producció massiva d'emmagatzematge eUFS 3.0 de 512 GB. Aquest seria el primer per a la indústria del mòbil, ja que la resta de telèfons intel·ligents encara utilitzen xips de memòria eUFS 2.1 en aquest moment. Malauradament, aquests xips s’utilitzaran a la ‘pròxima generació de telèfons intel·ligents’ i no estaran presents als nous dispositius de la sèrie S10. Tot i això, s’ha rumorjat que Samsung podria estrenar els xips de memòria en el nou dispositiu Samsung Galaxy Fold.
Cheol Choi, vicepresident de vendes i màrqueting de memòria de Samsung Electronics, va afirmar que 'Començar la producció massiva de la nostra línia d'eUFS 3.0 ens proporciona un gran avantatge en el mercat mòbil de nova generació, al qual aportem una velocitat de lectura de memòria que abans només estava disponible en portàtils ultra prims'.
L’eUFS 3.0 de 512 GB comptarà amb un nou V-NAND de 512 GB de cinquena generació i també tindrà un controlador d’alt rendiment. S'espera una velocitat de lectura de fins a 2.100 MB / s, que serà més del doble de ràpida que els actuals xips eUFS 2.1. Els nous xips són suposadament tan ràpids com els portàtils ultra prims recents en termes de rendiment d’emmagatzematge. D'altra banda, les velocitats d'escriptura suposadament rondaran els 410 MB / s, cosa que la situaria a la mateixa regió de velocitat que els discs SSD SATA. A més, les operacions d’entrada / sortida per segon (IOPS) també han experimentat un augment, realitzant 63.000 IOPS de lectura aleatòria i 68.000 IOPS d’escriptura aleatòria. Amb aquestes velocitats, podeu transferir una pel·lícula Full HD des d’un telèfon intel·ligent al vostre ordinador portàtil en només 3 segons.
eUFS 3.0
Sens dubte, això pressionarà els competidors per afegir xips de memòria eUFS 3.0 en futurs telèfons. Per tant, podem esperar que més empreses adoptin l’estàndard aviat.
Etiquetes samsung
