Es diu que Kirin 980 presentarà una NPU de 2a generació que pot fer 5 bilions de càlculs per watt

El chipset Huawei Kirin 970 es troba en diversos telèfons intel·ligents, inclòs el primer vaixell insígnia de la càmera triple de la companyia, el P20 Pro. No obstant això, els avenços tecnològics fan que el Kirin 980 es llanci en breu. Huawei apareix amb freqüència a la fira IFA i el gegant tecnològic xinès hi podria estar present per llançar correctament el Kirin 980.

Informes de ithome , indiqui que el Kirin 980 es fabricarà mitjançant un procés FinFET de 7 nm fabricat per TSMC. De manera emocionant, el mateix chipset d’A12 d’Apple fa servir el mateix procés, que es trobarà a la seva sèrie d’iPhone del 2018 durant el mes de setembre. Hi ha rumors addicionals que diuen que aquest chipset emblemàtic utilitzarà l'última tecnologia de xips AI de Cambricorn, que millorarà la Unitat de Processament Neural (NPU) fent-la més eficient i podrà iniciar fins a 5 bilions de càlculs per watt.

El Kirin 980 estarà disponible en un paquet octa-core, però pot funcionar en un estat de doble nucli o quad-core quan el telèfon intel·ligent necessiti conservar la bateria. Els nuclis de rendiment presents al Kirin 980 pertànyeran a Cortex-A77 d’ARM, tot i que cal tenir en compte que ARM només ha llançat Cortex-A76 en aquesta etapa, de manera que la font real podria ser incorrecta aquí. Segons informes no oficials, Kirin 980 també vindrà amb la pròpia GPU de Huawei d’HiSilicon, la filial responsable del disseny del chipset. Farà el chipset 1,5 vegades més ràpid que l’Adreno 630 que actualment s’associa amb Snapdragon 845 per Qualcomm, però aquest últim també prepara el Snapdragon 855.

Aquest chipset alimentarà el Mate 20 i el Huawei Mate 20 Pro, que es donaran a conèixer al públic durant l’últim trimestre del 2018. A més, Kirin 980 també hauria d’alimentar els telèfons intel·ligents de la sèrie Huawei P que es llançaran el 2019. D’aquesta manera, Huawei està preparat per deixar una marca a la indústria tecnològica amb l’arribada del seu silici FinFET de 7 nm.